Разработанные детекторы предназначены для регистрации слабого ультрафиолетового излучения (УФИ) на фоне мощного видимого и инфракрасного излучения. Достигнутые разработчиками значения фоточувствительности и скорости Ni/ZnO:N/Alдетекторов УФИ соответствуют по величине аналогичным характеристикам промышленных детекторов на основе Si, GaN и SiC. Однако, оксид цинка имеет более низкую стоимость. Также данные полупроводниковые детекторы имеют высокую эффективность, малый вес и габариты, способность интегрировать сигнал, который детектируется.