Выращивание крупногабаритных монокристаллов сапфира методом Киропулоса

Идентификационный номер:CH-X-0004 страна:Технические запросы из КНР Дата:2013-10-11 Количество просмотров:197

Технология для выращивания крупногабаритного сапфира является  одной из узких мест в развитии промышленного производства LED. В нынешнее время китайская технология вырашивания кристалла диаметром менее 2" относительно зрела, а не развита по диаметром более 3". А в мире технология получения сапфира диаметром 3-4" относительно зрела, и имеет сильное преимущество рынка.
Наша техническая задача представляет собой решение проблем вырашивания сапфира более 3", а также производство высококачественного крупногабаритного сапфира.
Требования к техническим характеристикам:
1.      диаметр >=6".
2.      отсутствие дефектов, таких как пузыри, рассеяние и др.
3.      плотность дислокаций менее 400/см.
4.      выход кристалла более 75%.
5.      коэффициент использования кристалла более 70%.
Сумма предлагаемых инвестиций - 300 000 китайских юаней.